Информационные технологии
1. Исходные данные для расчета:
Uп=20В; Rн=47Ом; fн=17Гц; fв=3 104 Гц; КuΣ=97; Um=5В.
. Рассчитывают каскад на транзисторе VT3. При этом определяют максимальный эмиттерный ток транзистора VT3 из условия, что на рабочей частоте резисторы Rэ3 и Rн включены параллельно:
Iэ3max =2 Umвых(Rэ3+Rн)/(Rэ3 ×Rн).
Минимальное падение напряжения на резисторе Rк2
URк2 min=Uп -2×Umн - Uбэз -Uкэ2.
Сопротивление резистора Rк2
Rк2 =Urк2 min(h21эз+1)/Iэзmax.
Для обеспечения термостабильности каскада воспользуемся известным соотношением
Rб=Rэ(Si - 1),
где Si=2…5-коэффициент нестабильности.
Так как для каскада на транзисторе VT3 Rб=Rк2, получаем
Urк2 min(h21эз+1)/Iэзmax=Rэз(Si-1).
Для выбора типа выходного транзистора допустим, что Rн=Rэз. Тогда транзистор должен отвечать следующим требованиям:
Iкmax доп>Umвых(2/Rн)=0,43 А;
Uкэ max доп > Uп=20 В;
fр > fв=3 104 Гц;
Pк > (Uп - Um)2 /Rн=(20 - 5)2/47=4,79 Вт.
По полученным данным, по справочнику выбирают транзистор КТ 815А со следующими параметрами:
Uкэ=40 В; Iкmax=1,5 А; Pк=10Вт h21э=40; fгр=5 МГц.
Полагая URэ2=2 В, Si=5, Uбэз=0.8 В, с учетом выражения для минимального напряжения на резисторе Rк2, находят
Ом
Принимают Rэз=300 Ом.
. Рассчитывают каскад на транзисторе VT2:
Ом
Принимают Rк2=1,2 кОм.
Определяют ток покоя транзистора VT2
мА
Rэ2=Urэ2/Iк2п=2/0,01=198 Ом.
Принимают Rэ2=200 Ом.
Транзистор VT2 должен отвечать следующим требованиям:
Iкmax доп>Uп/Rк2=16,6 мА;
Uкэ max доп>Uп=20 В;
fр>3·104 Гц;
Pк max доп>IкпUкэп=20,2 мВт.
По полученным данным по справочнику выбирают транзистор КТ 503Б со следующими параметрами:
Uкэ max доп =25 В;
Iк max доп =150 мА;
Pк max доп =350 мВт;
h21=80-120;
fгр=5 МГц.
На основе известного расчетного соотношения: Rб=Rэ(Si-1) получают
Rб2=Rэ2(Si-1)=200(5-1)=800 Ом.
Тогда (Rбз·Rб4)/(Rбз+Rб4)=Rб2;
Uп·Rб4(Rбз+Rб4)=Urэ2+Uбэ2=Uб2.
Из приведенных выражений при условии Uбэ=0.8 В находят:
Ом. Принимаем 0,9 кОм.
Ом. Принимаем 5,7 кОм
Ток покоя базы транзистора VT2
Iб2п=Iк2п/h21э=0,1263 мА.
Ток делителя на резисторах Rбз,Rб4
Iдел = Uп/(Rбз+Rб4)=20/(5700+900)=3 мА;
Iдел>>Iб2п-отвечает условию независимости выходного напряжения делителя Uб2 от тока базы VT2 .
Сопротивление нагрузки каскада на транзисторе VT2
Rн=Rк2║(Rэз║Rн)h21эз=876 Ом.
Коэффициент усиления каскада на транзисторе VT2 без учета действия цепи местной ООС (Rвх=663 Ом)
Кuк = Rк h21э/Rвх=70080 / 663=10,6.
Сопротивление нагрузки для каскада на транзисторе VT1 по переменному току
/Rн2=1/Rбз+1/Rб4+1/Rвх=1/5,7+1/0,9+1/0,66;
Rн2=556 Ом.
. Рассчитывают каскад на транзисторе VT1.
Резистор Rк1 определяют из условия
Rк1=>>Rн2.
Принимают Rк1=5,6 кОм.
Ток покоя транзистора VT1 в предположении , что Uк1=Uп/2, равен
Проектирование инфокоммуникационной оптической сети железной дороги
Многоканальная связь получила широкое распространение на железнодорожном
транспорте. Особенно большое значение эта связь приобретает в связи с
разбросанностью подразделений железнодорожного транспорта на большие
расстояния.
Управление работой отдельных хозяйственных единиц требует организации
между к ...