Информационные технологии
При выращивании монокристаллов силленитов в качестве материала тигля используется платина. Хотя температура плавления германосилленита 930 °С, применять керамические, кварцевые, а также тигли из неблагородных металлов нельзя из-за высокой химической активности расплава Bi2O3.
Оборудование
В ходе работы использовалось следующее оборудование:
1) Установка для роста кристаллов по Чохральскому.
В качестве нагревательного элемента использовалась нихромовая спираль (R = 2,1 Ом).
Максимальная мощность печи - 2,142 кВт.
Максимальная температура - 1250 °С.
Внутреннее устройство печи приведено на рис. 2.4.1.
Электрическая часть установки питается от сети переменного тока (напряжение 220 В, 50 Гц). Управление и контроль производится с помощью системы высокоточного регулирования температуры ВРТ-2. Система построена по принципу обратной связи по температуре. Напряжение на нагреватель подаётся с блока тиристоров БТ. Сигнал с термопары, расположенной в непосредственной близости от нагревателя, поступает на задатчик И-102, где сравнивается с заданным набором температуры. Сигнал разбаланса, полученный в результате сравнения, поступает на регулятор Р-111, где формируется заданный закон регулирования (в данном случае ПИ-регулирование) печью сопротивления. Сигнал с регулятора (0 ¸ 5 mА) поступает на блок управления тиристоров БУТ, который регулирует выходной сигнал с блока тиристоров БТ, подавая на них изменяющееся по величине, запирающее напряжение. Вытягивающий механизм конструкции ИКАНа.
Скорость вытягивания 3, 6, 12 мм/час.
Скорость вращения штока 47 об/мин.
2) Для синтеза шихты и отжига полученных кристаллов использовали муфельную печь ПМ-8.
Технические данные печи:
Мощность нагревателя |
- |
2,4 |
кВт |
Напряжение сети |
- |
220 |
В |
Максимальная рабочая температура |
- |
1100 |
°С |
Разработка устройства диагностики силовой части однофазного тиристорного мостового полууправляемого выпрямителя
Развитие устройств промышленной электроники сопровождается ростом
сложности и взаимосвязей элементов и систем управления ими. Эти обстоятельства,
обусловленные расширением круга решаемых этими устройствами задач при
одновременном повышении требований к эффективности функционирования, приводят к
сниж ...