TechShape.ru

Информационные технологии

Основные разделы

Расчет температурной компенсации

стабилизированный питание транзистор ток

Температурную компенсацию выполняем включением в плечо делителя компенсационного диода VDk, если расчетное значение температурного коэффициента стабилизатора больше заданного. Если ТКС положителен включаем компенсирующий диод в верхнее плечо, если отрицателен, то в нижнее.

Максимальный ТКН опорного стабилитрона:

γоп.max = νст.max×Uст.ср = -0,02×8,3 = -1,66 мВ/°С

Для маломощных транзисторов VTy1, VTy2 усилителя ПT максимальный и минимальный температурные коэффициенты перехода «база-эмиттер» принимаем равными:

γбэ.у.min = -1,9 мВ/°С

γбэ.у.max = -2,5 мВ/°С

Вычисляем максимальный ТКС при отсутствии термокомпенсирующих диодов

γmax =

Uвых(γоп.max - γбэ.у.min + γбэ.у.max)

=

30 [-1,66 - (-1,9) +(-2,5)]

= -7,33 мВ/°С

Uст.max

9

Уточняем силу тока делителя

Iдел =

Uвых

=

30

= 4,00 мА

Rдел

7500

Выбираем в качестве компенсирующего диод Д814Б и по графику рис. 2.1 [1] при токе 4,00 мА находим температурный коэффициент диода γk = -1,85 мВ/°С

Рассчитываем количество компенсирующих диодов

Nk =

Uвых×γоп.max

=

-1,66×30

= 3,2

Uст.max×γk

-1,85×9

Принимаем в нижнем плече 4 диода Д814Б.

Принимая, что термокомпенсирующие диоды имеют разброс температурного коэффициента Δγ = ±0,1 мВ/°С, находим минимальный температурный коэффициент термокомпенсирующего диода

γk.min = γk + Δγ = -1,85 + 0,1 = -1,75 мВ/°С

Наибольший температурный коэффициент стабилизатора при наличии термокомпенсации:

γk.max = γmax - Nk× γk.min = -7,33 - 4×(-1,75) = -0,33 мВ/°С

Расчетное значение приблизительно равняется заданному 0,3 мВ/°С.

Выводы

В результате выполнения курсовой работы был получен стабилизированный источник питания с высоким коэффициентом стабилизации. Конструкция источника питания получилась громоздкой. Но благодаря развитию импульсной техники большинство маломощных источников питания обладает импульсным принципом работы. При этом снижаются габариты, и повышается КПД источников питания.

Еще статьи

Обработка изображения от приборов с зарядовой связью средствами микроконтроллеров
Тема моего проекта: "Обработка изображения от приборов с зарядовой связью средствами микроконтроллеров". Прибор с зарядовой связью (ПЗС) является довольно новым схемотехническим элементом, который сейчас очень широко используется во многих отраслях науки и промышленности. Применение ПЗС ...

Все права защищены! 2020 - www.techshape.ru